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GermanyTPH2R306NH1,LQ
元器件型号详细信息
原厂型号
TPH2R306NH1,LQ
摘要
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 136A（Tc） 800mW（Ta），170W（Tc） 8-SOP Advance（5x5.75）
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
U-MOSVIII-H
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
136A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.3 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
72 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6100 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
800mW（Ta），170W（Tc）
工作温度
150°C
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5.75）
封装/外壳
8-PowerTDFN
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
TPH2R306NH1,LQ(M
264-TPH2R306NH1,LQTR
264-TPH2R306NH1LQCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R306NH1,LQ
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价格
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