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20251126
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IKD15N60R
元器件型号详细信息
原厂型号
IKD15N60R
摘要
IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
详情
IGBT 沟道 600 V 30 A 250 W 表面贴装型 PG-TO252-3-11
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
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技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
TrenchStop®
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
45 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V,15A
功率 - 最大值
250 W
开关能量
900µJ
输入类型
标准
栅极电荷
90 nC
25°C 时 Td(开/关)值
16ns/183ns
测试条件
400V,15A,15 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
110 ns
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装
PG-TO252-3-11
基本产品编号
IKD15N
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-IKD15N60R
IFEINFIKD15N60R
SP000539764
IKD15N60RBTMA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Infineon Technologies IKD15N60R
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规格书
1(IK(D,U)15N60R)
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价格
-
替代型号
-
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