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GermanyRGT60TS65DGC11
元器件型号详细信息
原厂型号
RGT60TS65DGC11
摘要
IGBT TRNCH FIELD 650V 55A TO247N
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 55 A 194 W 通孔 TO-247N
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
管件
Product Status
不适用于新设计
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
55 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
90 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V，30A
功率 - 最大值
194 W
开关能量
-
输入类型
标准
栅极电荷
58 nC
25°C 时 Td（开/关）值
29ns/100ns
测试条件
400V，30A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
58 ns
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247N
基本产品编号
RGT60
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Rohm Semiconductor RGT60TS65DGC11
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规格书
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产品培训模块
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环保信息
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HTML 规格书
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仿真模型
1(RGT60TS65D Spice Model)
价格
数量: 450
单价: $18.88398
包装: 管件
最小包装数量: 450
包装: 管件
最小包装数量: 450
替代型号
型号 : RGT60TS65DGC13
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 0
单价. : ¥83.55000
替代类型. : 参数等效
库存 : 0
单价. : ¥83.55000
替代类型. : 参数等效
型号 : RGT60TS65DGC11
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 99
单价. : ¥25.12000
替代类型. : 参数等效
库存 : 99
单价. : ¥25.12000
替代类型. : 参数等效