English
Spain
Rusia
Italy
GermanySUP85N03-04P-E3
元器件型号详细信息
原厂型号
SUP85N03-04P-E3
摘要
MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB
详情
通孔 N 通道 30 V 85A（Tc） 3.75W（Ta），166W（Tc） TO-220AB
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
85A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.3 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
90 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4500 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.75W（Ta），166W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
SUP85
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SUP85N03-04P-E3
相关文档
规格书
1(SUP/SUB85N03-04P)
其他相关文档
1(Packaging Information)
PCN 产品变更/停产
1(PCN- SIL-0722014 10/Jun/2014)
HTML 规格书
1(SUP/SUB85N03-04P)
价格
-
替代型号
型号 : IPP042N03LGXKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 273
单价. : ¥11.85000
替代类型. : 类似
库存 : 273
单价. : ¥11.85000
替代类型. : 类似
型号 : PSMN4R3-30PL,127
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 1,123
单价. : ¥13.12000
替代类型. : 类似
库存 : 1,123
单价. : ¥13.12000
替代类型. : 类似
型号 : FDP8030L
制造商 : onsemi
库存 : 1,026
单价. : ¥48.89000
替代类型. : 类似
库存 : 1,026
单价. : ¥48.89000
替代类型. : 类似
型号 : IRLB8748PBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,878
单价. : ¥8.67000
替代类型. : 类似
库存 : 1,878
单价. : ¥8.67000
替代类型. : 类似
型号 : IRL7833PBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 36
单价. : ¥15.26000
替代类型. : 类似
库存 : 36
单价. : ¥15.26000
替代类型. : 类似