元器件型号详细信息

原厂型号
SQ4946AEY-T1_GE3
摘要
MOSFET 2N-CH 60V 7A
详情
MOSFET - 阵列 60V 7A 4W 表面贴装型 8-SOIC
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
40 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
18nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
750pF @ 25V
功率 - 最大值
4W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
SQ4946

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SQ4946AEY-T1_GE3TR
SQ4946AEY-T1_GE3DKR
SQ4946AEY-T1-GE3
SQ4946AEY-T1-GE3-ND
SQ4946AEY-T1_GE3CT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Vishay Siliconix SQ4946AEY-T1_GE3

相关文档

规格书
1(SQ4946AEY-T1-GE3)
PCN 产品变更/停产
1(SQ4946AEY 22/Dec/2020)
PCN 组装/来源
1(SIL-044-2014-Rev-1 20/May/2014)
PCN 零件编号
1(New Ordering Code 19/Mar/2015)
HTML 规格书
1(SQ4946AEY-T1-GE3)

价格

-

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