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GermanyBSC016N04LSGATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSC016N04LSGATMA1
摘要
MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 31A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
31A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.6 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 85µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
150 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
12000 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），139W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
BSC016
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSC016N04LSGATMA1TR
BSC016N04LS GDKR
BSC016N04LS GTR-ND
BSC016N04LS GTR
BSC016N04LS GCT-ND
BSC016N04LS G-ND
SP000394801
BSC016N04LSG
BSC016N04LS GCT
BSC016N04LS G
BSC016N04LSGATMA1DKR
BSC016N04LS GDKR-ND
BSC016N04LSGATMA1CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSC016N04LSGATMA1
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1(BSC016N04LS G)
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PCN 组装/来源
1(Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022)
PCN 封装
()
PCN 其他
1(Multiple Changes 09/Jul/2014)
HTML 规格书
1(BSC016N04LS G)
EDA 模型
1(BSC016N04LSGATMA1 by Ultra Librarian)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 40V N-Channel Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : ISC015N04NM5ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥14.15000
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