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GermanyBSZ058N03MSGATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSZ058N03MSGATMA1
摘要
MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 14A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），45W（Tc） PG-TSDSON-8
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3100 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），45W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TSDSON-8
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
BSZ058
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSZ058N03MSGINTR-ND
BSZ058N03MSGINDKR-ND
2156-BSZ058N03MSGATMA1
BSZ058N03MSGINCT
BSZ058N03MSGATMA1TR
BSZ058N03MSGINTR
BSZ058N03MSGATMA1CT
BSZ058N03MSGATMA1DKR
BSZ058N03MSGINCT-ND
BSZ058N03MSGXT
BSZ058N03MS G
BSZ058N03MSG
BSZ058N03MSGINDKR
IFEINFBSZ058N03MSGATMA1
SP000311508
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSZ058N03MSGATMA1
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PCN 其他
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HTML 规格书
1(BSZ058N03MS G)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 30V N-Channel Spice Model)
价格
-
替代型号
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