元器件型号详细信息

原厂型号
FF23MR12W1M1PB11BPSA1
摘要
LOW POWER EASY
详情
IGBT 模块 沟道 2 个独立式 1200 V 50 A 20 mW 底座安装 AG-EASY1BM-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
CoolSiC™+
包装
托盘
Product Status
停产
IGBT 类型
沟道
配置
2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
50 A
功率 - 最大值
20 mW
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
-
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
3.68 nF @ 800 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
AG-EASY1BM-2
基本产品编号
FF23MR12

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

448-FF23MR12W1M1PB11BPSA1
SP002739444

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Infineon Technologies FF23MR12W1M1PB11BPSA1

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规格书
1(FF23MR12W1M1P_B11)
PCN 产品变更/停产
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Process Chgs 21/Dec/2021)
HTML 规格书
1(FF23MR12W1M1P_B11)

价格

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替代型号

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