English
Spain
Rusia
Italy
GermanyAPT30GP60BDQ1G
元器件型号详细信息
原厂型号
APT30GP60BDQ1G
摘要
IGBT 600V 100A 463W TO247
详情
IGBT PT 600 V 100 A 463 W 通孔 TO-247 [B]
原厂/品牌
Microchip Technology
原厂到货时间
43 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Microchip Technology
系列
POWER MOS 7®
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.7V @ 15V，30A
功率 - 最大值
463 W
开关能量
260µJ（开），250µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
90 nC
25°C 时 Td（开/关）值
13ns/55ns
测试条件
400V，30A，5 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247 [B]
基本产品编号
APT30GP60
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
APT30GP60BDQ1GMP-ND
APT30GP60BDQ1GMP
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Microchip Technology APT30GP60BDQ1G
相关文档
规格书
1(APT30GP60BDQ1(G))
环保信息
()
PCN 组装/来源
1(Wafer Fabrication Site 27/Oct/2021)
PCN 其他
1(Integration 13/May/2020)
HTML 规格书
1(APT30GP60BDQ1(G))
价格
数量: 100
单价: $67.3754
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $73.22
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : IGW50N60TFKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 39
单价. : ¥46.75000
替代类型. : 类似
库存 : 39
单价. : ¥46.75000
替代类型. : 类似
型号 : IXGH36N60B3
制造商 : IXYS
库存 : 491
单价. : ¥54.85000
替代类型. : 类似
库存 : 491
单价. : ¥54.85000
替代类型. : 类似
型号 : IGW50N60H3FKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 232
单价. : ¥51.67000
替代类型. : 类似
库存 : 232
单价. : ¥51.67000
替代类型. : 类似
型号 : AOK50B60D1
制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 64
单价. : ¥40.78000
替代类型. : 类似
库存 : 64
单价. : ¥40.78000
替代类型. : 类似
型号 : NGTB45N60S2WG
制造商 : onsemi
库存 : 61
单价. : ¥33.31000
替代类型. : 类似
库存 : 61
单价. : ¥33.31000
替代类型. : 类似