元器件型号详细信息

原厂型号
SIDC06D120H8X1SA2
摘要
DIODE GP 1.2KV 7.5A WAFER
详情
二极管 1200 V 7.5A 表面贴装型 带箔切割晶片
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
散装
产品状态
在售
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
1200 V
电流 - 平均整流 (Io)
7.5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.97 V @ 7.5 A
速度
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
27 µA @ 1200 V
不同 Vr、F 时电容
-
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
模具
供应商器件封装
带箔切割晶片
工作温度 - 结
-40°C ~ 175°C
基本产品编号
SIDC06D120

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Infineon Technologies SIDC06D120H8X1SA2

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价格

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