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元器件型号详细信息
原厂型号
TC58NYG0S3HBAI6
摘要
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA
详情
FLASH - NAND（SLC） 存储器 IC 1Gb 并联 25 ns 67-VFBGA（6.5x8）
原厂/品牌
Kioxia America, Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
338
供应商库存
技术参数
制造商
Kioxia America, Inc.
系列
-
包装
托盘
产品状态
在售
存储器类型
非易失
存储器格式
闪存
技术
FLASH - NAND（SLC）
存储容量
1Gb
存储器组织
128M x 8
存储器接口
并联
写周期时间 - 字，页
25ns
访问时间
25 ns
电压 - 供电
1.7V ~ 1.95V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
67-VFBGA
供应商器件封装
67-VFBGA（6.5x8）
基本产品编号
TC58NYG0
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
3A991B1A
HTSUS
8542.32.0071
其它名称
TC58NYG0S3HBAI6JAH
TC58NYG0S3HBAI6JDH
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/存储器/存储器/Kioxia America, Inc. TC58NYG0S3HBAI6
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规格书
1(TC58NYG0S3HBAI6)
特色产品
1(SLC NAND Flash Memory)
价格
-
替代型号
型号 : TC58BYG0S3HBAI6
制造商 : Kioxia America, Inc.
库存 : 27
单价. : ¥25.12000
替代类型. : 类似
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