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元器件型号详细信息
原厂型号
IPG20N06S2L50AATMA1
摘要
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
详情
MOSFET - 阵列 55V 20A 51W 表面贴装，可润湿侧翼 PG-TDSON-8-10
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
55V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 19µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
560pF @ 25V
功率 - 最大值
51W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
PG-TDSON-8-10
基本产品编号
IPG20N
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP001023842
2156-IPG20N06S2L50AATMA1
INFINFIPG20N06S2L50AATMA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies IPG20N06S2L50AATMA1
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1(IPG20N06S2L-50A)
价格
数量: 10000
单价: $3.44139
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000
数量: 5000
单价: $3.57582
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000
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