IPD038N04NGBTMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPD038N04NGBTMA1

摘要

MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

详情

表面贴装型 N 通道 40 V 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

Product Status

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

90A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

3.8 毫欧 @ 90A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 45µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

56 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

4500 pF @ 20 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

94W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

IPD038N

其它名称

IPD038N04NGBTMA1DKR

IPD038N04N GCT-ND

IPD038N04N GDKR

IPD038N04N GDKR-ND

IPD038N04NGBTMA1TR

IPD038N04N GCT

SP000391507

IPD038N04N G-ND

IPD038N04NGBTMA1CT

IPD038N04NG

IPD038N04N G

IPD038N04N GTR-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD038N04NGBTMA1

价格

-

替代型号

型号 : IPD038N06N3GATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥14.47000
替代类型. : 直接

型号 : AUIRFR8403TRL

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥19.16000
替代类型. : 类似

型号 : AUIRFR8403

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 88
单价. : ¥14.07000
替代类型. : 类似

型号 : IRLR3114ZTRPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 8,127
单价. : ¥12.08000
替代类型. : 类似

型号 : STD120N4LF6

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 50,010
单价. : ¥17.97000
替代类型. : 类似

型号 : NTD5802NT4G

制造商 : onsemi
库存 : 12,355
单价. : ¥12.88000
替代类型. : 类似

型号 : NP60N04VUK-E1-AY

制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 1,716
单价. : ¥12.08000
替代类型. : 类似

SN75C189ADR PV4F2Y0SS-324 656E31254I3T 19420.4 PCF0603R-1K02BT1

IPD038N04NGBTMA1

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