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GermanyFGY100T65SCDT
元器件型号详细信息
原厂型号
FGY100T65SCDT
摘要
FS3TIGBT TO247 100A 650V
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 200 A 750 W 通孔 TO-247-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
Product Status
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
200 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
300 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.9V @ 15V，100A
功率 - 最大值
750 W
开关能量
5.4mJ（开），3.8mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
157 nC
25°C 时 Td（开/关）值
84ns/216ns
测试条件
400V，100A，4.7 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
62 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3 变式
供应商器件封装
TO-247-3
基本产品编号
FGY100
相关信息
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi FGY100T65SCDT
相关文档
规格书
1(FGY100T65SCDT)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 29/Jan/2021)
PCN 设计/规格
1(Dimension/Color Change 24/Feb/2021)
PCN 组装/来源
1(Assembly/Test Change 03/Mar/2023)
PCN 封装
1(Packing quantity increase 28/Dec/2020)
HTML 规格书
1(FGY100T65SCDT)
EDA 模型
1(FGY100T65SCDT by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
-