English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIPP80N06S2L06AKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPP80N06S2L06AKSA1
摘要
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详情
通孔 N 通道 55 V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.3 毫欧 @ 69A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 180µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
150 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3800 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
250W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3-1
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP80N
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPP80N06S2L-06
2156-IPP80N06S2L06AKSA1-IT
IPP80N06S2L-06-ND
SP000218824
INFINFIPP80N06S2L06AKSA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPP80N06S2L06AKSA1
相关文档
规格书
1(IPB,IPP80N06S2L-06)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 20/Jul/2015)
PCN 组装/来源
1(Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014)
HTML 规格书
1(IPB,IPP80N06S2L-06)
价格
-
替代型号
型号 : FDP070AN06A0
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥20.03000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥20.03000
替代类型. : 类似
型号 : IRFBC30APBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 1,576
单价. : ¥24.41000
替代类型. : 类似
库存 : 1,576
单价. : ¥24.41000
替代类型. : 类似
型号 : STP100N6F7
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥14.87000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥14.87000
替代类型. : 类似
型号 : IRF830APBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 6,819
单价. : ¥12.48000
替代类型. : 类似
库存 : 6,819
单价. : ¥12.48000
替代类型. : 类似
型号 : IRF830A
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
型号 : STP80NF55-06
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥28.78000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥28.78000
替代类型. : 类似