English
Spain
Rusia
Italy
GermanyCSD16323Q3C
元器件型号详细信息
原厂型号
CSD16323Q3C
摘要
MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8SON
详情
表面贴装型 N 通道 25 V 21A（Ta），60A（Tc） 3W（Ta） 8-SON-EP（3x3）
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A（Ta），60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
3V，8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.5 毫欧 @ 24A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.4 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
+10V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1300 pF @ 12.5 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SON-EP（3x3）
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
CSD16323
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
296-28096-2
296-28096-1
-296-28096-1-ND
296-28096-6
-CSD16323Q3C-NDR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Texas Instruments CSD16323Q3C
相关文档
规格书
1(CSD16323Q3C)
产品培训模块
1(NexFET MOSFET Technology)
视频文件
1(PowerStack™ Packaging Technology Overview)
特色产品
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 10/Aug/2018)
PCN 设计/规格
1(Qualification Revision A 01/Jul/2014)
制造商产品页面
1(CSD16323Q3C Specifications)
EDA 模型
1(CSD16323Q3C by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : CSD16323Q3
制造商 : Texas Instruments
库存 : 25,438
单价. : ¥9.30000
替代类型. : 直接
库存 : 25,438
单价. : ¥9.30000
替代类型. : 直接
型号 : CSD16340Q3
制造商 : Texas Instruments
库存 : 25,667
单价. : ¥9.54000
替代类型. : 类似
库存 : 25,667
单价. : ¥9.54000
替代类型. : 类似
型号 : DMN2005UPS-13
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 2,487
单价. : ¥6.92000
替代类型. : 类似
库存 : 2,487
单价. : ¥6.92000
替代类型. : 类似