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GermanyCY7C199D-10ZXI
元器件型号详细信息
原厂型号
CY7C199D-10ZXI
摘要
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I
详情
SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb 并联 10 ns 28-TSOP I
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
702
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
托盘
产品状态
停产
allaboutcomponents.com 可编程
未验证
存储器类型
易失
存储器格式
SRAM
技术
SRAM - 异步
存储容量
256Kb
存储器组织
32K x 8
存储器接口
并联
写周期时间 - 字，页
10ns
访问时间
10 ns
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽）
供应商器件封装
28-TSOP I
基本产品编号
CY7C199
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.32.0041
其它名称
-CY7C199D
2832-CY7C199D-10ZXI
428-2013-ND
CYPCYPCY7C199D-10ZXI
428-2013
2156-CY7C199D-10ZXI
448-CY7C199D-10ZXI
2832-CY7C199D-10ZXI-428
CY7C199D10ZXI
2015-CY7C199D-10ZXI
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/存储器/存储器/Infineon Technologies CY7C199D-10ZXI
相关文档
规格书
1(CY7C199D)
环保信息
1(RoHS Certificate)
特色产品
1(Cypress Memory Products)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 6/Feb/2020)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Datasheet Chg 18/Dec/2019)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Chgs 21/Jan/2021)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(CY7C199D)
EDA 模型
1(CY7C199D-10ZXI by Ultra Librarian)
Forum Discussions
1(Cypress “No Warranty” Parts)
价格
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替代型号
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