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GermanyDMN3031LSS-13
元器件型号详细信息
原厂型号
DMN3031LSS-13
摘要
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
18.5 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
25 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
741 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOP
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
基本产品编号
DMN3031
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
DMN3031LSSDIDKR
DMN3031LSSDICT
DMN3031LSS13
DMN3031LSSDITR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated DMN3031LSS-13
相关文档
规格书
1(DMN3031LSS)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 产品变更/停产
1(Discrete Family 24/Jul/2013)
PCN 设计/规格
1(Bond Wire 11/Nov/2011)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Fab Add 8/Aug/2012)
PCN 其他
1(Multiple Device Changes 29/Apr/2013)
HTML 规格书
1(DMN3031LSS)
EDA 模型
1(DMN3031LSS-13 by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : DMN3030LSS-13
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 16
单价. : ¥4.05000
替代类型. : 直接
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型号 : SI4176DY-T1-E3
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型号 : SI4178DY-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥5.09000
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库存 : 0
单价. : ¥5.09000
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