元器件型号详细信息

原厂型号
FS50R07N2E4B11BOSA1
摘要
IGBT MODULE 650V 70A 190W
详情
IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 650 V 70 A 190 W 底座安装 模块
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
10

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
EconoPACK™ 2
包装
托盘
Product Status
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
70 A
功率 - 最大值
190 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.95V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值)
1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
3.1 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
工作温度
-40°C ~ 150°C
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
FS50R07

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

INFINFFS50R07N2E4B11BOSA1
SP000843946
2156-FS50R07N2E4B11BOSA1-IT
FS50R07N2E4_B11

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Infineon Technologies FS50R07N2E4B11BOSA1

相关文档

规格书
1(FS50R07N2E4_B11)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 3/Jul/2018)
HTML 规格书
1(FS50R07N2E4_B11)

价格

-

替代型号

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