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GermanyNE85639R-T1
元器件型号详细信息
原厂型号
NE85639R-T1
摘要
RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143R
详情
RF 晶体管 NPN 12V 100mA 9GHz 200mW 表面贴装型 SOT-143R
原厂/品牌
CEL
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
CEL
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
晶体管类型
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）
12V
频率 - 跃迁
9GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）
1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz
增益
13.5dB
功率 - 最大值
200mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
50 @ 20mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100mA
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-143R
供应商器件封装
SOT-143R
基本产品编号
NE85639
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
其它名称
NE85639R-TR
2SC4093R-T1
NE85639RTR
NE85639RCT
NE85639R
NE85639R-T1TR
NE85639R-ND
NE85639RT1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极射频晶体管/CEL NE85639R-T1
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规格书
()
HTML 规格书
1(NE856 Series)
价格
-
替代型号
型号 : BFR181WH6327XTSA1
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型号 : BFP740FESDH6327XTSA1
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型号 : 2SC5065-Y(TE85L,F)
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥3.26000
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型号 : BFP193E6327HTSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 72
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型号 : MRF455
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单价. : ¥489.38000
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单价. : ¥4.93000
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型号 : BFP640FESDH6327XTSA1
制造商 : Infineon Technologies
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单价. : ¥5.72000
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