English
Spain
Rusia
Italy
GermanyPSMN015-110P,127
元器件型号详细信息
原厂型号
PSMN015-110P,127
摘要
MOSFET N-CH 110V 75A TO220AB
详情
通孔 N 通道 110 V 75A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
110 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
15 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
90 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4900 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
PSMN015
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
568-5772
2156-PSMN015-110P,127-NEX
934057141127
NEXNXPPSMN015-110P,127
568-5772-ND
1727-4655
PSMN015-110P
PSMN015-110P,127-ND
PSMN015-110P-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Nexperia USA Inc. PSMN015-110P,127
相关文档
规格书
1(PSMN015-110P)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Parts obs 30/Jun/2022)
PCN 设计/规格
1(Logo Marking Update 30/Nov/2016)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(PSMN015-110P)
价格
-
替代型号
型号 : IPP12CN10LGXKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 927
单价. : ¥17.01000
替代类型. : 类似
库存 : 927
单价. : ¥17.01000
替代类型. : 类似
型号 : NTP6410ANG
制造商 : onsemi
库存 : 124
单价. : ¥26.87000
替代类型. : 类似
库存 : 124
单价. : ¥26.87000
替代类型. : 类似
型号 : FDP120N10
制造商 : onsemi
库存 : 27
单价. : ¥20.75000
替代类型. : 类似
库存 : 27
单价. : ¥20.75000
替代类型. : 类似
型号 : FDP150N10
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥21.70000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥21.70000
替代类型. : 类似
型号 : IRFB4510PBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 3,352
单价. : ¥11.53000
替代类型. : 类似
库存 : 3,352
单价. : ¥11.53000
替代类型. : 类似
型号 : IXTP80N10T
制造商 : IXYS
库存 : 14,265
单价. : ¥27.35000
替代类型. : 类似
库存 : 14,265
单价. : ¥27.35000
替代类型. : 类似