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20250804
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元器件资讯
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HGTG30N60C3D
元器件型号详细信息
原厂型号
HGTG30N60C3D
摘要
IGBT 600V 63A TO247-3
详情
IGBT 600 V 63 A 208 W 通孔 TO-247-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
450
供应商库存
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技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
63 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
252 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.8V @ 15V,30A
功率 - 最大值
208 W
开关能量
1.05mJ(开),2.5mJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
162 nC
25°C 时 Td(开/关)值
-
测试条件
-
反向恢复时间 (trr)
60 ns
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
基本产品编号
HGTG30
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi HGTG30N60C3D
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规格书
1(HGTG30N60C3D)
环保信息
()
HTML 规格书
1(HGTG30N60C3D)
价格
-
替代型号
型号 : NGTB40N60L2WG
制造商 : onsemi
库存 : 38
单价. : ¥48.33000
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型号 : APT30GN60BG
制造商 : Microchip Technology
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