元器件型号详细信息

原厂型号
TH58NYG2S3HBAI6
摘要
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA
详情
FLASH - NAND(SLC) 存储器 IC 4Gb 并联 63-BGA(9x11)
原厂/品牌
Kioxia America, Inc.
原厂到货时间
14 周
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
Kioxia America, Inc.
系列
-
包装
托盘
产品状态
在售
allaboutcomponents.com 可编程
未验证
存储器类型
非易失
存储器格式
闪存
技术
FLASH - NAND(SLC)
存储容量
4Gb
存储器组织
512M x 8
存储器接口
并联
写周期时间 - 字,页
25ns
电压 - 供电
1.7V ~ 1.95V
工作温度
-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
63-BGA
供应商器件封装
63-BGA(9x11)
基本产品编号
TH58NYG2

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3(168 小时)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
3A991B1A
HTSUS
8542.32.0071

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /集成电路(IC)/存储器/存储器/Kioxia America, Inc. TH58NYG2S3HBAI6

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价格

数量: 1050
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