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GermanyFDP8870
元器件型号详细信息
原厂型号
FDP8870
摘要
MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB
详情
通孔 N 通道 30 V 19A（Ta），156A（Tc） 160W（Tc） TO-220-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19A（Ta），156A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.1 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
132 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5200 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
160W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
FDP88
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
488-FDP8870
2156-FDP8870-OS
FAIFSCFDP8870
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDP8870
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规格书
()
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 8/Apr/2021)
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Mold Chg 28/Oct/2019)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
HTML 规格书
1(TO220B03 Pkg Drawing)
价格
-
替代型号
型号 : IPP042N03LGXKSA1
制造商 : Infineon Technologies
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制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,388
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型号 : IRL7833PBF
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库存 : 28
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型号 : PSMN3R4-30PL,127
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 8,000
单价. : ¥15.79000
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