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GermanyRGT8NS65DGC9
元器件型号详细信息
原厂型号
RGT8NS65DGC9
摘要
IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO262
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 8 A 65 W 通孔 TO-262
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
46 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
8 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
12 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V，4A
功率 - 最大值
65 W
开关能量
-
输入类型
标准
栅极电荷
13.5 nC
25°C 时 Td（开/关）值
17ns/69ns
测试条件
400V，4A，50欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
40 ns
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装
TO-262
基本产品编号
RGT8NS65
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Rohm Semiconductor RGT8NS65DGC9
相关文档
规格书
1(RGT8NS65D(LPDS))
产品培训模块
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价格
数量: 2000
单价: $8.41861
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $8.62625
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $10.4111
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $12.6716
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $15.764
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $17.57
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-