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元器件型号详细信息
原厂型号
IRFS7530TRLPBF
摘要
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 195A（Tc） 375W（Tc） PG-TO263-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
20 周
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®, StrongIRFET™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
411 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
13703 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-2
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
IRFS7530
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRFS7530TRLPBFTR
IRFS7530TRLPBFCT
IRFS7530TRLPBF-ND
SP001567992
IRFS7530TRLPBFDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFS7530TRLPBF
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1(IRF(B,S,SL)7530PbF)
仿真模型
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价格
数量: 5600
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