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GermanySIZ256DT-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SIZ256DT-T1-GE3
摘要
DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET
详情
MOSFET - 阵列 70V 11.5A（Ta），31.8A（Tc） 4.3W（Ta），33W（Tc） 表面贴装型 8-PowerPair®（3.3x3.3）
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
88 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET® Gen IV
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
70V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11.5A（Ta），31.8A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
17.6 毫欧 @ 7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
27nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1060pF @ 35V
功率 - 最大值
4.3W（Ta），33W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerWDFN
供应商器件封装
8-PowerPair®（3.3x3.3）
基本产品编号
SIZ256
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Vishay Siliconix SIZ256DT-T1-GE3
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规格书
1(SiZ256DT)
HTML 规格书
1(SiZ256DT)
价格
数量: 3000
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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