PH5525L,115

元器件型号详细信息

原厂型号

PH5525L,115

摘要

MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK56

详情

表面贴装型 N 通道 25 V 81.7A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8

原厂/品牌

NXP USA Inc.

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

1,500

供应商库存

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技术参数

制造商

NXP USA Inc.

系列

TrenchMOS™

包装

卷带（TR）

Product Status

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

81.7A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

5.5 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.15V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

16.6 nC @ 4.5 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2150 pF @ 12 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

62.5W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

LFPAK56，Power-SO8

封装/外壳

SC-100，SOT-669

基本产品编号

PH55

其它名称

PH5525L T/R

PH5525L T/R-ND

934060924115

954-PH5525L115

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/NXP USA Inc. PH5525L,115