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元器件型号详细信息
原厂型号
BCR198SE6327BTSA1
摘要
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 2 个 PNP 预偏压式（双） 50V 100mA 190MHz 250mW 表面贴装型 PG-SOT363-PO
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
晶体管类型
2 个 PNP 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50V
电阻器 - 基极 (R1)
47 千欧
电阻器 - 发射极 (R2)
47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
70 @ 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
300mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）
-
频率 - 跃迁
190MHz
功率 - 最大值
250mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-VSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
PG-SOT363-PO
基本产品编号
BCR198
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
BCR 198S E6327
BCR198SE6327BTSA1TR
BCR 198S E6327-ND
BCR198SE6327XT
SP000010822
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极晶体管阵列，预偏置/Infineon Technologies BCR198SE6327BTSA1
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1(BCR198)
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HTML 规格书
1(BCR198)
价格
-
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型号 : DDA143TU-7-F
制造商 : Diodes Incorporated
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型号 : PUMB11,135
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 9,000
单价. : ¥2.31000
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型号 : PUMB11,115
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 8,596
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型号 : DDA113TU-7-F
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库存 : 10
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制造商 : onsemi
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单价. : ¥0.93572
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