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GermanyBSZ0905PNSATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSZ0905PNSATMA1
摘要
MOSFET P-CH 30V 40A TDSON-8
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 40A（Tc） 69W（Ta） PG-TDSON-8
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.6 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.9V @ 105µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
43.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3190 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
69W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
BSZ0905
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
448-BSZ0905PNSATMA1TR
SP005399015
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSZ0905PNSATMA1
相关文档
规格书
1(BSZ0905PNS)
EDA 模型
1(BSZ0905PNSATMA1 by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
-