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Germany2SJ610(TE16L1,NQ)
元器件型号详细信息
原厂型号
2SJ610(TE16L1,NQ)
摘要
MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD
详情
表面贴装型 P 通道 250 V 2A（Ta） 20W（Ta） PW-MOLD
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.55 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
24 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
381 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
20W（Ta）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PW-MOLD
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
2SJ610
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ610(TE16L1,NQ)
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规格书
()
PCN 产品变更/停产
1(EOL 08/Nov/2013)
PCN 其他
1(H440-4L-009P 30/Jan/2015)
HTML 规格书
()
价格
-
替代型号
-