元器件型号详细信息

原厂型号
2N7000TA
摘要
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
详情
通孔 N 通道 60 V 200mA(Tc) 400mW(Ta) TO-92-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
剪切带(CT)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 1mA
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
50 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
400mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-92-3
封装/外壳
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
基本产品编号
2N7000

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

2N7000TATB
2N7000TATR
2N7000TACT
2N7000TA_T
2N7000TA-ND
2N7000TATR-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi 2N7000TA

相关文档

规格书
1(2N7000 Datasheet)
环保信息
()
设计资源
1(Available In the allaboutcomponents.com KiCad Library)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Site Transfer)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
EDA 模型
1(2N7000TA by Ultra Librarian)

价格

数量: 2000
单价: $0.83427
包装: 带盒(TB)
最小包装数量: 2000
数量: 1000
单价: $0.9101
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $1.21348
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $1.6178
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $2.377
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $2.94
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : 2N7000
制造商 : onsemi
库存 : 7,753
单价. : ¥4.05000
替代类型. : 类似