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GermanyBCR108SE6327BTSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BCR108SE6327BTSA1
摘要
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式（双） 50V 100mA 170MHz 250mW 表面贴装型 PG-SOT363-PO
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
晶体管类型
2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50V
电阻器 - 基极 (R1)
2.2 千欧
电阻器 - 发射极 (R2)
47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
70 @ 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
300mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）
-
频率 - 跃迁
170MHz
功率 - 最大值
250mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-VSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
PG-SOT363-PO
基本产品编号
BCR108
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
BCR 108S E6327
BCR108SE6327XT
BCR 108S E6327-ND
BCR108SE6327BTSA1TR
SP000010743
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极晶体管阵列，预偏置/Infineon Technologies BCR108SE6327BTSA1
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价格
-
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制造商 : onsemi
库存 : 1,344
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型号 : MUN5230DW1T1G
制造商 : onsemi
库存 : 5,868
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型号 : UMH2N-TP
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型号 : MUN5235DW1T1G
制造商 : onsemi
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型号 : MUN5215DW1T1G
制造商 : onsemi
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型号 : MUN5211DW1T1G
制造商 : onsemi
库存 : 36,237
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型号 : MUN5212DW1T1G
制造商 : onsemi
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型号 : DDC114TU-7-F
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库存 : 128,522
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库存 : 53,804
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型号 : DDC143TU-7-F
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库存 : 232,882
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型号 : MUN5232DW1T1G
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库存 : 5,286
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型号 : PUMH11,115
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库存 : 44,080
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库存 : 8,075
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