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GermanyNTB65N02RT4G
元器件型号详细信息
原厂型号
NTB65N02RT4G
摘要
MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 25 V 7.6A（Tc） 1.04W（Ta），62.5W（Tc） D2PAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.2 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.5 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1330 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.04W（Ta），62.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
NTB65
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
NTB65N02RT4GOS
2156-NTB65N02RT4G
2156-NTB65N02RT4G-ONTR-ND
ONSONSNTB65N02RT4G
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NTB65N02RT4G
相关文档
规格书
1(NTB,NTP65N02R)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 19/Dec/2008)
HTML 规格书
1(NTB,NTP65N02R)
EDA 模型
1(NTB65N02RT4G by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : PSMN017-30BL,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 3,683
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型号 : PSMN4R3-30BL,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 10,510
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