English
Spain
Rusia
Italy
GermanySPP08P06PHXKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
SPP08P06PHXKSA1
摘要
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO220-3
详情
通孔 P 通道 60 V 8.8A（Tc） 42W（Tc） PG-TO220-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
300 毫欧 @ 6.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
420 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
42W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
SPP08P
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IFEINFSPP08P06PHXKSA1
SPP08P06P H-ND
2156-SPP08P06PHXKSA1
SPP08P06P G-ND
SP000446908
SPP08P06P H
SPP08P06P G
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies SPP08P06PHXKSA1
相关文档
规格书
1(SPP08P06P H)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices EOL 08/May/2019)
PCN 组装/来源
1(Lead Plate Supplier Add 26/Apr/2017)
HTML 规格书
1(SPP08P06P H)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 60V P-Channel Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : STP10P6F6
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 1,880
单价. : ¥9.94000
替代类型. : 类似
库存 : 1,880
单价. : ¥9.94000
替代类型. : 类似