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GermanyIRLR8729TRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRLR8729TRPBF
摘要
MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 58A（Tc） 55W（Tc） D-Pak
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
58A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.9 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
16 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1350 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
55W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IRLR8729
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRLR8729TRPBFDKR
IRLR8729TRPBFCT
IRLR8729TRPBFTR
IRLR8729TRPBF-ND
SP001569082
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRLR8729TRPBF
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产品培训模块
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设计资源
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特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 23/Mar/2022)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Warehouse Transfer 29/Jul/2015)
PCN 封装
()
PCN 其他
1(Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022)
HTML 规格书
1(IRL(R,U)8729PbF)
仿真模型
1(IRLR8729PBF Spice Model)
价格
-
替代型号
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