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GermanyFQD6N60CTM-WS
元器件型号详细信息
原厂型号
FQD6N60CTM-WS
摘要
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 4A（Tc） 80W（Tc） TO-252AA
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
QFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
810 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
80W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
FQD6N60
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FQD6N60CTM_WS
FQD6N60CTM_WS-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FQD6N60CTM-WS
相关文档
规格书
1(FQD6N60C)
环保信息
()
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Assembly/Test Add 8/Jul/2019)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
PCN 零件编号
1(Mult Device Part Number Chg 30/May/2017)
HTML 规格书
1(FQD6N60C)
EDA 模型
1(FQD6N60CTM-WS by Ultra Librarian)
价格
数量: 2500
单价: $5.55434
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
替代型号
型号 : IPD60R2K1CEAUMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 10,000
单价. : ¥5.25000
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