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GermanyIDK02G120C5XTMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IDK02G120C5XTMA1
摘要
DIODE SIC 1.2KV 11.8A TO263-1
详情
二极管 1200 V 11.8A 表面贴装型 PG-TO263-2-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
60 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolSiC™+
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
技术
SiC（Silicon Carbide）Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
1200 V
电流 - 平均整流 (Io)
11.8A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.65 V @ 2 A
速度
无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
18 µA @ 1200 V
不同 Vr、F 时电容
182pF @ 1V，1MHz
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
PG-TO263-2-1
工作温度 - 结
-55°C ~ 175°C
基本产品编号
IDK02G120
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Infineon Technologies IDK02G120C5XTMA1
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规格书
1(IDK02G120C5)
特色产品
1(Silicon Carbide CoolSiC™ MOSFETs and Diodes)
EDA 模型
()
价格
数量: 1000
单价: $16.56534
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
数量: 500
单价: $18.88234
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $22.1809
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $27.068
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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数量: 1
单价: $30.13
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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