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Germany71016S20YG8
元器件型号详细信息
原厂型号
71016S20YG8
摘要
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
详情
SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb 并联 20 ns 44-SOJ
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
存储器类型
易失
存储器格式
SRAM
技术
SRAM - 异步
存储容量
1Mb
存储器组织
64K x 16
存储器接口
并联
写周期时间 - 字，页
20ns
访问时间
20 ns
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
工作温度
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装
44-SOJ
基本产品编号
71016S
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
3A991B2B
HTSUS
8542.32.0041
其它名称
IDT71016S20YG8
IDT71016S20YG8-ND
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/存储器/存储器/Renesas Electronics America Inc 71016S20YG8
相关文档
规格书
1(71016S)
PCN 产品变更/停产
()
PCN 设计/规格
1(All Dev Label Chg 1/Dec/2022)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Site Transfer 27/Feb/2020)
价格
-
替代型号
型号 : 71016S20PHG8
制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 0
单价. : ¥21.24214
替代类型. : MFR Recommended
库存 : 0
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制造商 : Alliance Memory, Inc.
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型号 : AS7C1026B-15JCNTR
制造商 : Alliance Memory, Inc.
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型号 : AS7C1026B-12JCNTR
制造商 : Alliance Memory, Inc.
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