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GermanySI7997DP-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SI7997DP-T1-GE3
摘要
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8
详情
MOSFET - 阵列 30V 60A 46W 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
60A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
160nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6200pF @ 15V
功率 - 最大值
46W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 双
基本产品编号
SI7997
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SI7997DP-T1-GE3DKR
SI7997DP-T1-GE3TR
SI7997DP-T1-GE3CT
SI7997DPT1GE3
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Vishay Siliconix SI7997DP-T1-GE3
相关文档
规格书
1(SI7997DP)
PCN 组装/来源
1(Multiple Devices 11/Dec/2015)
HTML 规格书
1(SI7997DP)
EDA 模型
1(SI7997DP-T1-GE3 by Ultra Librarian)
价格
数量: 6000
单价: $7.70465
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 3000
单价: $8.00099
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $8.59369
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $10.3716
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 100
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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单价: $17.49
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
替代型号
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