元器件型号详细信息

原厂型号
FDD86369
摘要
MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 80 V 90A(Tc) 150W(Tj) D-PAK(TO-252)
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
42 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.9 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
54 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2530 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
150W(Tj)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D-PAK(TO-252)
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
FDD863

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

FDD86369OSDKR
FDD86369-ND
FDD86369OSTR
FDD86369OSCT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi FDD86369

相关文档

规格书
1(FDD86369)
环保信息
()
特色产品
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 组装/来源
1(Multi Dev 29/Sep/2022)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
HTML 规格书
1(FDD86369)
EDA 模型
1(FDD86369 by Ultra Librarian)

价格

数量: 12500
单价: $5.407
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 5000
单价: $5.60215
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 2500
单价: $5.8176
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 1000
单价: $6.24853
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $7.5413
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $9.1786
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $11.424
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $12.72
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $6.24853
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $7.5413
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $9.1786
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $11.424
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $12.72
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : IPD082N10N3GATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 39,729
单价. : ¥17.97000
替代类型. : 类似