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GermanyRND030N20TL
元器件型号详细信息
原厂型号
RND030N20TL
摘要
MOSFET N-CH 200V 3A CPT3
详情
表面贴装型 N 通道 200 V 3A（Tc） 850mW（Ta），20W（Tc） CPT3
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
870 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
270 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
850mW（Ta），20W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
CPT3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
RND030
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
846-RND030N20TLTR
RND030N20TLDKR
RND030N20TLTR
RND030N20TLCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Rohm Semiconductor RND030N20TL
相关文档
规格书
1(RND030N20)
HTML 规格书
1(RND030N20)
EDA 模型
1(RND030N20TL by Ultra Librarian)
价格
数量: 2500
单价: $2.94109
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
替代型号
型号 : RND030N20TL
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 2,863
单价. : ¥6.20000
替代类型. : 参数等效
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单价. : ¥1.85012
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