English
Spain
Rusia
Italy
GermanyNDPL180N10BG
元器件型号详细信息
原厂型号
NDPL180N10BG
摘要
MOSFET N-CH 100V 180A TO220-3
详情
通孔 N 通道 100 V 180A（Ta） 2.1W（Ta），200W（Tc） TO-220-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V，15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 毫欧 @ 15V，50A
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
95 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6950 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），200W（Tc）
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
NDPL18
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
ONSONSNDPL180N10BG
2156-NDPL180N10BG
NDPL180N10BGOS
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NDPL180N10BG
相关文档
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices 28/Apr/2017)
HTML 规格书
1(NDPL180N10B)
EDA 模型
1(NDPL180N10BG by SnapEDA)
价格
-
替代型号
型号 : FDP036N10A
制造商 : onsemi
库存 : 371
单价. : ¥44.68000
替代类型. : 类似
库存 : 371
单价. : ¥44.68000
替代类型. : 类似
型号 : STP315N10F7
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 998
单价. : ¥46.03000
替代类型. : 类似
库存 : 998
单价. : ¥46.03000
替代类型. : 类似
型号 : TK100E08N1,S1X
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥31.64000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥31.64000
替代类型. : 类似
型号 : PSMN3R5-80PS,127
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 2,208
单价. : ¥37.36000
替代类型. : 类似
库存 : 2,208
单价. : ¥37.36000
替代类型. : 类似