English
Spain
Rusia
Italy
GermanyFDC6302P
元器件型号详细信息
原厂型号
FDC6302P
摘要
MOSFET 2P-CH 25V 120MA SSOT6
详情
MOSFET - 阵列 25V 120mA 700mW 表面贴装型 SuperSOT™-6
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.31nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
11pF @ 10V
功率 - 最大值
700mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装
SuperSOT™-6
基本产品编号
FDC6302
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
FDC6302PDKR
2832-FDC6302PTR
FDC6302P-ND
FDC6302PCT
FDC6302PTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi FDC6302P
相关文档
规格书
1(FDC6302P)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 17/Aug/2020)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Assembly Chg 6/May/2020)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(FDC6302P)
价格
-
替代型号
型号 : NTJD4152PT1G
制造商 : onsemi
库存 : 27,778
单价. : ¥4.21000
替代类型. : 类似
库存 : 27,778
单价. : ¥4.21000
替代类型. : 类似