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GermanyAIHD15N60RFATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
AIHD15N60RFATMA1
摘要
IC DISCRETE 600V TO252-3
详情
IGBT 沟槽型场截止 600 V 30 A 240 W 表面贴装型 PG-TO252-3-313
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
45 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.5V @ 15V，15A
功率 - 最大值
240 W
开关能量
270µJ（开），250µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
90 nC
25°C 时 Td（开/关）值
13ns/160ns
测试条件
400V，15A，15 欧姆，15V
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装
PG-TO252-3-313
基本产品编号
AIHD15
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-AIHD15N60RFATMA1
SP001346824
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Infineon Technologies AIHD15N60RFATMA1
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PCN 产品变更/停产
1(AIHD1 EOL 18/Nov/2020)
PCN 封装
1(Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018)
HTML 规格书
1(AIHD15N60RF)
价格
-
替代型号
型号 : IKD15N60RFATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,398
单价. : ¥16.30000
替代类型. : 类似
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