最后更新
20251201
Language
简体中文
English
Spain
Rusia
Italy
Germany
元器件资讯
库存查询
IXGM20N60
元器件型号详细信息
原厂型号
IXGM20N60
摘要
POWER MOSFET TO-3
详情
IGBT 600 V 40 A 150 W 通孔 TO-204AE
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
>>>点击查询实时库存<<<
技术参数
制造商
IXYS
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
40 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
80 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.5V @ 15V,20A
功率 - 最大值
150 W
开关能量
2mJ(开),3.2mJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
120 nC
25°C 时 Td(开/关)值
100ns/600ns
测试条件
480V,20A,82 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
200 ns
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-204AE
供应商器件封装
TO-204AE
基本产品编号
IXGM20
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/IXYS IXGM20N60
相关文档
-
价格
-
替代型号
-
相似型号
VJ0603D4R7DLPAP
T1010
8N4Q001LG-1136CDI8
1825J1K50152FCR
ACT96MD5PN-LC