元器件型号详细信息

原厂型号
STW42N60M2-EP
摘要
MOSFET N-CH 600V 34A TO247
详情
通孔 N 通道 600 V 34A(Tc) 250W(Tc) TO-247-3
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30

技术参数

制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™ M2-EP
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
34A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
87 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
55 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2370 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
250W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
STW42

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

497-15883-5
-1138-STW42N60M2-EP
497-15883-5-ND
497-STW42N60M2-EP

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/STMicroelectronics STW42N60M2-EP

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规格书
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1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
特色产品
1(600 V MDmesh M2 EP MOSFETs)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019)
PCN 组装/来源
1(New Molding Compound 13/Sep/2019)
HTML 规格书
1(ST(B,P,W)42N60M2-EP)

价格

数量: 2000
单价: $37.98718
包装: 管件
最小包装数量: 1
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