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GermanyA2T26H300-24SR6
元器件型号详细信息
原厂型号
A2T26H300-24SR6
摘要
IC TRANS RF LDMOS
详情
RF Mosfet 28 V 800 mA 2.5GHz 14.5dB 60W NI-1230-4LS2L
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
150
供应商库存
技术参数
制造商
NXP USA Inc.
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
LDMOS
配置
双
频率
2.5GHz
增益
14.5dB
电压 - 测试
28 V
额定电流（安培）
-
噪声系数
-
电流 - 测试
800 mA
功率 - 输出
60W
电压 - 额定
65 V
安装类型
底座安装
封装/外壳
NI-1230-4LS2L
供应商器件封装
NI-1230-4LS2L
基本产品编号
A2T26
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
其它名称
568-15223-2
568-15223-1
A2T26H300-24SR6-ND
935318674128
568-15223-6
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/RF FET，MOSFET/NXP USA Inc. A2T26H300-24SR6
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规格书
1(A2T26H300-24SR6)
环保信息
()
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev 14/Dec/2022)
PCN 封装
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
价格
-
替代型号
型号 : A3G26H350W17SR3
制造商 : NXP USA Inc.
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