元器件型号详细信息

原厂型号
BZX55C30 A0G
摘要
DIODE ZENER 30V 500MW DO35
详情
二极管 - 齐纳 30 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000

技术参数

制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
带盒(TB)
产品状态
在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
30 V
容差
±5%
功率 - 最大值
500 mW
阻抗(最大值)(Zzt)
80 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
100 nA @ 22 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1 V @ 100 mA
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装
DO-35
基本产品编号
BZX55

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0050

其它名称

BZX55C30 A0G-ND
BZX55C30A0G

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/二极管/齐纳/单齐纳二极管/Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C30 A0G

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规格书
1(BZX55C2V0 - BZX55C75)
环保信息
()
EDA 模型
1(BZX55C30 A0G by SnapEDA)

价格

-

替代型号

型号 : TZX30C-TR
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 29,697
单价. : ¥1.83000
替代类型. : 类似
型号 : TZX30A-TR
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 16,865
单价. : ¥1.83000
替代类型. : 类似
型号 : TZX30B-TAP
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 29,931
单价. : ¥1.83000
替代类型. : 类似
型号 : BZX55B30-TAP
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 29,918
单价. : ¥1.75000
替代类型. : 类似
型号 : 1N5256B-TAP
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 68,871
单价. : ¥1.83000
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型号 : 1N5256B TR PBFREE
制造商 : Central Semiconductor Corp
库存 : 4,278
单价. : ¥3.26000
替代类型. : 类似
型号 : TZX30B-TR
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 29,890
单价. : ¥1.83000
替代类型. : 类似
型号 : 1N5256B-TR
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 28,397
单价. : ¥1.83000
替代类型. : 类似
型号 : BZX55C30-TAP
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 63,742
单价. : ¥1.83000
替代类型. : 类似
型号 : BZX55C30-TR
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 29,967
单价. : ¥1.83000
替代类型. : 类似