English
Spain
Rusia
Italy
GermanyMJD112-001
元器件型号详细信息
原厂型号
MJD112-001
摘要
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 100 V 2 A 25MHz 1.75 W 通孔 I-PAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
75
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
晶体管类型
NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
2 A
电压 - 集射极击穿（最大值）
100 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
3V @ 40mA，4A
电流 - 集电极截止（最大值）
20µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
1000 @ 2A，3V
功率 - 最大值
1.75 W
频率 - 跃迁
25MHz
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装
I-PAK
基本产品编号
MJD11
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
ONSONSMJD112-001
MJD112-001OS
2156-MJD112-001-ON
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/单双极晶体管/onsemi MJD112-001
相关文档
规格书
1(MJD112,117)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 30/Jun/2006)
HTML 规格书
1(MJD112,117)
EDA 模型
1(MJD112-001 by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : MJD112-1G
制造商 : onsemi
库存 : 632
单价. : ¥8.74000
替代类型. : 直接
库存 : 632
单价. : ¥8.74000
替代类型. : 直接